硅基平面型三極管器件的制造方法和器件

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導體領(lǐng)域，具體地，涉及一種硅基平面型三極管器件的制造方法和器件，來(lái)實(shí)現在低磁場(chǎng)下獲得大的磁電阻效應。

背景技術(shù)

過(guò)去的50年里，世界半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一直遵循著(zhù)著(zhù)名的摩爾定律,即每隔18到24個(gè)月芯片上晶體管數目就增加一倍。但由于物理體積的限制，按照摩爾定律的預期，半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在未來(lái)十年內將接近極限，傳統晶體管電路的性能無(wú)法再進(jìn)一步提升。如何讓半導體器件超越摩爾定律的限制已經(jīng)成為當今半導體產(chǎn)業(yè)亟待解決的一個(gè)重要問(wèn)題。

實(shí)現半導體器件的磁調控不僅賦予了傳統半導體器件新的功能，而且在信息技術(shù)上具有廣泛的應用前景。目前半導體器件的磁調控主要可以分為以下兩個(gè)方面：一是利用磁場(chǎng)來(lái)操控半導體內電子的自旋。通過(guò)磁性材料與半導體器件的結合，來(lái)實(shí)現半導體中自旋的注入、傳輸、調控和探測。但是，目前磁性材料的引入仍然無(wú)法與現有的半導體工業(yè)緊密結合，同時(shí)低的自旋注入效率更使得半導體產(chǎn)業(yè)的自旋調控任重而道遠。另一個(gè)重要的方面則是避免磁性材料的使用，直接利用磁場(chǎng)來(lái)調控半導體中電荷的輸運行為。雖然利用洛侖茲力可以實(shí)現磁場(chǎng)對半導體器件輸運性質(zhì)的調控，但是由于其通常被霍爾電場(chǎng)所抵消，與磁性材料相比，在半導體材料中實(shí)現磁操控要困難得多。

目前人們陸續在從窄帶半導體（Ag2Te，InSb等）到傳統半導體(Si，Ge等)都報道了遠大于目前磁性材料的大磁阻效應，但不難看出本質(zhì)上人們都是利用洛侖茲力對電荷的操控，因此所需要的工作磁場(chǎng)通常很高，為幾個(gè)甚至十幾特斯拉才能獲得可觀(guān)的效應。如何降低工作磁場(chǎng)，并進(jìn)一步探索新的半導體調控機理是目前半導體磁場(chǎng)調控的關(guān)鍵。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于，針對上述問(wèn)題，提出一種硅基平面型三極管器件的制造方法，以實(shí)現低磁場(chǎng)下獲得高的磁電阻效應的優(yōu)點(diǎn)。

技術(shù)負責人： 隋文波 物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院